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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng繁华落幕是什么意思解释，繁华落幕是什么意思？)份额(é)约(yuē)为 繁华落幕是什么意思解释，繁华落幕是什么意思？94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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