大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际其远而无所至极邪的邪怎么读音，卯怎么读音存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储(其远而无所至极邪的邪怎么读音，卯怎么读音chǔ)产业链上下游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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